IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 vs IQD016N08NM5ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IQD016N08NM5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 | IQD016N08NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 Power-Transistor | OptiMOS 5 Power-MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 75 A | 31 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | 789 A | 323 A |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | 278 W | 333 W |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | 0.29 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2 V (typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| প্যাকেজ | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) |
| পিন সংখ্যা | 9 | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling | Dual-side exposed pad (top + bottom) | — |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| On-Resistance RDS(on) typical | — | 1.6 mΩ |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55C to +150C (junction, standard MOSFET rating) |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |