IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 vs IQD016N08NM5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 tarafından Infineon ve IQD016N08NM5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 | IQD016N08NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 Power-Transistor | OptiMOS 5 Power-MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 75 A | 31 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | 789 A | 323 A |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | 278 W | 333 W |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | 0.29 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2 V (typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Paket | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) |
| Pin Sayısı | 9 | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling | Dual-side exposed pad (top + bottom) | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| On-Resistance RDS(on) typical | — | 1.6 mΩ |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +150C (junction, standard MOSFET rating) |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |