IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 vs IQD016N08NM5ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 מאת Infineon ו IQD016N08NM5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 | IQD016N08NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 Power-Transistor | OptiMOS 5 Power-MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 75 A | 31 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | 789 A | 323 A |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | 278 W | 333 W |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | 0.29 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2 V (typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| מארז | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) |
| מספר פינים | 9 | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling | Dual-side exposed pad (top + bottom) | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| On-Resistance RDS(on) typical | — | 1.6 mΩ |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55C to +150C (junction, standard MOSFET rating) |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |