IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 vs IQD016N08NM5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon اور IQD016N08NM5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 ✓ فعال
Infineon
IQD016N08NM5ATMA1 IQD016N08NM5ATMA1 - 80V 1.6mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQD016N08NM5ATMA1 - 80V 1.6mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQD016N08NM5ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IQD016N08NM5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 Power-Transistor OptiMOS 5 Power-MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 80 V
Continuous Drain Current (Ta) 75 A 31 A
Continuous Drain Current (Tc) 789 A 323 A
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 3 W
Power Dissipation (Tc) 278 W 333 W
Maximum On-Resistance RDS(on) 0.29 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2 V (typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
پیکیج PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6)
پن کی تعداد 9 —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Cooling Dual-side exposed pad (top + bottom) —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
On-Resistance RDS(on) typical — 1.6 mΩ
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C (junction, standard MOSFET rating)
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg typical]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں