IRF640NPBF vs IRF640NSTRLPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRF640NPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRF640NSTRLPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRF640NPBF | IRF640NSTRLPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 200 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 18 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | 150 mOhm max at VGS = 10 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 150 W | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 44.7 nC | 44.7 nC |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | -55C to +150C | — |
| Technology | HEXFET (5th Generation) | HEXFET (5th generation, trench MOSFET) |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel Enhancement Mode | — |
| প্যাকেজ | TO-220AB (through-hole, 3-pin) | D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab) |
| মাউন্টিং টাইপ | Through Hole | Surface Mount (Tape and Reel) |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| dv/dt Rating | Dynamic, rated | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | — |
| Manufacturer | Infineon (formerly International Rectifier) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 18 A |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 150 W |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 0.15 ohm |
| Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Output Capacitance (Coss) | — | [DATA_NEEDED: Coss] |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | [DATA_NEEDED: Crss] |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রার পরিসর | — | -55C to +175C |
| Lead-Free (PbF) | — | Yes |