IRF640NPBF vs IRF640NSTRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF640NPBF بذریعہ Infineon اور IRF640NSTRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF640NPBF IRF640NSTRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 150 mOhm max at VGS = 10 V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 150 W —
Total Gate Charge (Qg) 44.7 nC 44.7 nC
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +150C —
Technology HEXFET (5th Generation) HEXFET (5th generation, trench MOSFET)
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel Enhancement Mode —
پیکیج TO-220AB (through-hole, 3-pin) D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Surface Mount (Tape and Reel)
Avalanche Energy Rated Yes —
dv/dt Rating Dynamic, rated —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 18 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 150 W
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 0.15 ohm
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss]
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت رینج — -55C to +175C
Lead-Free (PbF) — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں