IRF640NPBF vs IRF640NSTRLPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF640NPBF द्वारा Infineon और IRF640NSTRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF640NPBF | IRF640NSTRLPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 200 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 18 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | 150 mOhm max at VGS = 10 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 150 W | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 44.7 nC | 44.7 nC |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55C to +150C | — |
| Technology | HEXFET (5th Generation) | HEXFET (5th generation, trench MOSFET) |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel Enhancement Mode | — |
| पैकेज | TO-220AB (through-hole, 3-pin) | D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab) |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Surface Mount (Tape and Reel) |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| dv/dt Rating | Dynamic, rated | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | — |
| Manufacturer | Infineon (formerly International Rectifier) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 18 A |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 150 W |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 0.15 ohm |
| Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Output Capacitance (Coss) | — | [DATA_NEEDED: Coss] |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | [DATA_NEEDED: Crss] |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज | — | -55C to +175C |
| Lead-Free (PbF) | — | Yes |