IRF7416TRPBF vs FDS6575 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRF7416TRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও FDS6575 নির্দিষ্ট onsemi. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF - P-Ch 30V 10A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7416TRPBF - P-Ch 30V 10A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7416TRPBF ✓ সক্রিয়
onsemi
FDS6575 FDS6575 - P-Channel -20V 10A PowerTrench MOSFET | onsemi

FDS6575 - P-Channel -20V 10A PowerTrench MOSFET | onsemi

FDS6575 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRF7416TRPBF FDS6575
ব্র্যান্ড Infineon onsemi
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type P-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) PowerTrench (rugged gate)
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -10 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -50 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max 20 mOhm at VGS = -10 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -1 V to -3 V —
Total Gate Charge (Qg) 61 nC [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) max at TA=25C 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) 50 C/W —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রার পরিসর -55 C to +150 C —
প্যাকেজ 8-SO (SOIC-8) SOIC-8 (SO-8)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL লেভেল 1 (unlimited) —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -20 V
Continuous Drain Current (ID) — -10 A
On-Resistance (RDS(on)) — 13 mOhm max at VGS = -4.5 V
Gate Drive Voltage Range — 2.5 V to 8 V
গেট থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range]
Power Dissipation — [DATA_NEEDED: power dissipation at TA]
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Configuration — Single MOSFET
Gate Source Voltage (VGS) Range — [DATA_NEEDED: VGS max rating]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট