IRF7416TRPBF vs FDS6575 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF7416TRPBF द्वारा Infineon और FDS6575 द्वारा onsemi. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF - P-Ch 30V 10A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7416TRPBF - P-Ch 30V 10A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7416TRPBF ✓ सक्रिय
onsemi
FDS6575 FDS6575 - P-Channel -20V 10A PowerTrench MOSFET | onsemi

FDS6575 - P-Channel -20V 10A PowerTrench MOSFET | onsemi

FDS6575 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRF7416TRPBF FDS6575
ब्रांड Infineon onsemi
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type P-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) PowerTrench (rugged gate)
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -10 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -50 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max 20 mOhm at VGS = -10 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -1 V to -3 V —
Total Gate Charge (Qg) 61 nC [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) max at TA=25C 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) 50 C/W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज -55 C to +150 C —
पैकेज 8-SO (SOIC-8) SOIC-8 (SO-8)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL स्तर 1 (unlimited) —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -20 V
Continuous Drain Current (ID) — -10 A
On-Resistance (RDS(on)) — 13 mOhm max at VGS = -4.5 V
Gate Drive Voltage Range — 2.5 V to 8 V
गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range]
Power Dissipation — [DATA_NEEDED: power dissipation at TA]
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Configuration — Single MOSFET
Gate Source Voltage (VGS) Range — [DATA_NEEDED: VGS max rating]

डेटाशीट और संसाधन

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