IRF7416TRPBF vs FDS6575 So sánh
So sánh chi tiết song song của IRF7416TRPBF bằng Infineon và FDS6575 bằng onsemi. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRF7416TRPBF | FDS6575 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | onsemi |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | P-Channel | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | PowerTrench (rugged gate) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | -30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | -10 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | -50 A | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 20 mOhm at VGS = -10 V | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | -1 V to -3 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 61 nC | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) max at TA=25C | 2.5 W | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) | 50 C/W | — |
| Khoảng nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 C to +150 C | — |
| Hộp | 8-SO (SOIC-8) | SOIC-8 (SO-8) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Cấp MSL | 1 (unlimited) | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -20 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -10 A |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 13 mOhm max at VGS = -4.5 V |
| Gate Drive Voltage Range | — | 2.5 V to 8 V |
| Điện áp mức ngưỡng cửa | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] |
| Power Dissipation | — | [DATA_NEEDED: power dissipation at TA] |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Configuration | — | Single MOSFET |
| Gate Source Voltage (VGS) Range | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |