K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WB তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G085WC-BIWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A8G085WB নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WB |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (B-die) |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| সংগঠন | 1G x 8 | 1G x 8 |
| ডেটা রেট | 3200 Mbps | [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps] |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -40°C to +95°C | — |
| প্যাকেজ | 78-FBGA | 78-pin FBGA |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| ইন্টারফেস | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| CAS লেটেন্সি | 22 (CL22) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | — | 1.2 V |
| Operating Mode | — | DLL Enabled mode (per datasheet) |
| Speed Grade Suffixes | — | -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming) |
| tCL/cas latency | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank/bank group count] |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: package dimensions] |
| MSL লেভেল | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Termination Voltage (VTT) | — | [DATA_NEEDED: VTT value] |