K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WB השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G085WC-BIWE מאת Samsung Electronics ו K4A8G085WB מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WB |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (B-die) |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| ארגון | 1G x 8 | 1G x 8 |
| קצב נתונים | 3200 Mbps | [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps] |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -40°C to +95°C | — |
| מארז | 78-FBGA | 78-pin FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| ממשק | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| השהיית CAS | 22 (CL22) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] |
| סטטוס RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| מתח אספקה | — | 1.2 V |
| Operating Mode | — | DLL Enabled mode (per datasheet) |
| Speed Grade Suffixes | — | -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming) |
| tCL/cas latency | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| טמפרטורת פעולה | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank/bank group count] |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: package dimensions] |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Termination Voltage (VTT) | — | [DATA_NEEDED: VTT value] |