K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WB तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G085WC-BIWE द्वारा Samsung Electronics और K4A8G085WB द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WB |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (B-die) |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| संगठन | 1G x 8 | 1G x 8 |
| डेटा दर | 3200 Mbps | [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps] |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40°C to +95°C | — |
| पैकेज | 78-FBGA | 78-pin FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| इंटरफ़ेस | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| CAS लेटेंसी | 22 (CL22) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] |
| RoHS स्थिति | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V |
| Operating Mode | — | DLL Enabled mode (per datasheet) |
| Speed Grade Suffixes | — | -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming) |
| tCL/cas latency | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank/bank group count] |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: package dimensions] |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Termination Voltage (VTT) | — | [DATA_NEEDED: VTT value] |