K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WB موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WC-BIWE بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G085WB بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G085WC-BIWE K4A8G085WC-BIWE - 8Gb DDR4-3200 1Gx8 DRAM | Samsung

K4A8G085WC-BIWE - 8Gb DDR4-3200 1Gx8 DRAM | Samsung

K4A8G085WC-BIWE ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G085WB K4A8G085WB - 8Gb B-die DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB - 8Gb B-die DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G085WC-BIWE K4A8G085WB
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (B-die)
Density 8 Gb 8 Gbit
تنظیم 1G x 8 1G x 8
ڈیٹا ریٹ 3200 Mbps [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps]
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Supply Voltage (VDDQ) 1.2 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40°C to +95°C —
پیکیج 78-FBGA 78-pin FBGA
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
انٹرفیس POD-12 —
Burst Length 8 (BL8), 4 (BC4) —
CAS لیٹنسی 22 (CL22) —
Refresh Auto-refresh, self-refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x]
RoHS اسٹیٹس Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead-Free Yes —
سپلائی وولٹیج — 1.2 V
Operating Mode — DLL Enabled mode (per datasheet)
Speed Grade Suffixes — -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming)
tCL/cas latency — [DATA_NEEDED: CAS latency]
آپریٹنگ درجہ حرارت — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Bank Groups — [DATA_NEEDED: bank/bank group count]
Package Dimensions — [DATA_NEEDED: package dimensions]
MSL لیول — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Termination Voltage (VTT) — [DATA_NEEDED: VTT value]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں