K4A8G165WB-BIWE vs MT40A1G8WE-075E তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G165WB-BIWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও MT40A1G8WE-075E নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A8G165WB-BIWE | MT40A1G8WE-075E |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Micron Technology |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| সংগঠন | 512M x 16 | — |
| ডেটা রেট | 3200 Mbps | 2666 MT/s (1.33 GHz) |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.2 V | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -40°C to +95°C | — |
| প্যাকেজ | 96-ball FBGA | 78-ball FBGA (8x12mm) |
| ইন্টারফেস | Parallel | — |
| Burst Length | 8, 16 | 8 and 4 |
| CAS লেটেন্সি | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Refresh | Auto-refresh, Self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| পিনের সংখ্যা | 96 | — |
| মেমরি সাইজ | — | 8 Gbit (1G x 8) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Operating Temperature (TC) | — | -40°C to +105°C (industrial) |
| Refresh Time (8192 cycles) | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo-open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |
| AEC-Q100 | — | Optional (AIT variant) |