K4A8G165WB-BIWE vs MT40A1G8WE-075E موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WB-BIWE بذریعہ Samsung Electronics اور MT40A1G8WE-075E بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G165WB-BIWE | MT40A1G8WE-075E |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Micron Technology |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| تنظیم | 512M x 16 | — |
| ڈیٹا ریٹ | 3200 Mbps | 2666 MT/s (1.33 GHz) |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40°C to +95°C | — |
| پیکیج | 96-ball FBGA | 78-ball FBGA (8x12mm) |
| انٹرفیس | Parallel | — |
| Burst Length | 8, 16 | 8 and 4 |
| CAS لیٹنسی | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Refresh | Auto-refresh, Self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پنز کی تعداد | 96 | — |
| میموری سائز | — | 8 Gbit (1G x 8) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Operating Temperature (TC) | — | -40°C to +105°C (industrial) |
| Refresh Time (8192 cycles) | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo-open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| AEC-Q100 | — | Optional (AIT variant) |