K4A8G165WB-BIWE vs MT40A1G8WE-075E Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G165WB-BIWE tarafından Samsung Electronics ve MT40A1G8WE-075E tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4A8G165WB-BIWE | MT40A1G8WE-075E |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organizasyon | 512M x 16 | — |
| Veri Hızı | 3200 Mbps | 2666 MT/s (1.33 GHz) |
| Besleme Gerilimi | 1.2 V | — |
| İşletim Sıcaklığı | -40°C to +95°C | — |
| Paket | 96-ball FBGA | 78-ball FBGA (8x12mm) |
| Arayüz | Parallel | — |
| Burst Length | 8, 16 | 8 and 4 |
| CAS Gecikme | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Refresh | Auto-refresh, Self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 96 | — |
| Bellek Boyutu | — | 8 Gbit (1G x 8) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Operating Temperature (TC) | — | -40°C to +105°C (industrial) |
| Refresh Time (8192 cycles) | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo-open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| AEC-Q100 | — | Optional (AIT variant) |