K4B4G1646 vs K4B4G1646E-BCNB তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4B4G1646 নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4B4G1646E-BCNB নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BCNB - 4Gb DDR3 SDRAM, 256Mx16, 1.35V | Samsung
K4B4G1646E-BCNB ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4B4G1646 | K4B4G1646E-BCNB |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ইউনিট মূল্য (USD) | — | $13.52 |
| মেমরি টাইপ | DDR3 SDRAM | DDR3 SDRAM |
| মেমরি সাইজ | 4 Gbit | 4 Gb |
| সংগঠন | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ইন্টারফেস | Parallel | — |
| Max Data Rate | Up to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| Clock Frequency Range | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| প্যাকেজ | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0C to +95C | 0C to +95C |
| On-Chip Termination (ODT) | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Die Revisions | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| ডেটা রেট | — | 1866 Mbps |
| CAS লেটেন্সি | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| পিনের সংখ্যা | — | 96 |
| ইন্টারফেস টাইপ | — | Parallel |
| Refresh | — | 8K / 64 ms |
| Burst Length | — | 8, 4 (fixed) |
| Write Recovery Time | — | [DATA_NEEDED: tWR] |
| Row Cycle Time | — | [DATA_NEEDED: tRC] |
| Row Address Strobe to Column Address Strobe Delay | — | [DATA_NEEDED: tRCD] |
| Row Precharge Time | — | [DATA_NEEDED: tRP] |
| Active to Precharge Time | — | [DATA_NEEDED: tRAS] |