K4B4G1646 vs K4B4G1646E-BCNB So sánh
So sánh chi tiết song song của K4B4G1646 bằng Samsung Electronics và K4B4G1646E-BCNB bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BCNB - 4Gb DDR3 SDRAM, 256Mx16, 1.35V | Samsung
K4B4G1646E-BCNB ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4B4G1646 | K4B4G1646E-BCNB |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Giá đơn vị (USD) | — | $13,52 |
| Kiểu bộ nhớ | DDR3 SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Kích thước bộ nhớ | 4 Gbit | 4 Gb |
| Tổ chức | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Giao diện | Parallel | — |
| Max Data Rate | Up to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| Clock Frequency Range | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| Điện áp cung cấp | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Hộp | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ hoạt động | 0C to +95C | 0C to +95C |
| On-Chip Termination (ODT) | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Die Revisions | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Tốc độ dữ liệu | — | 1866 Mbps |
| Latency CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Số lượng chân | — | 96 |
| Loại giao diện | — | Parallel |
| Refresh | — | 8K / 64 ms |
| Burst Length | — | 8, 4 (fixed) |
| Write Recovery Time | — | [DATA_NEEDED: tWR] |
| Row Cycle Time | — | [DATA_NEEDED: tRC] |
| Row Address Strobe to Column Address Strobe Delay | — | [DATA_NEEDED: tRCD] |
| Row Precharge Time | — | [DATA_NEEDED: tRP] |
| Active to Precharge Time | — | [DATA_NEEDED: tRAS] |