K4B4G1646 vs K4B4G1646E-BCNB तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646 द्वारा Samsung Electronics और K4B4G1646E-BCNB द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BCNB - 4Gb DDR3 SDRAM, 256Mx16, 1.35V | Samsung
K4B4G1646E-BCNB ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646 | K4B4G1646E-BCNB |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $13.52 |
| मेमोरी प्रकार | DDR3 SDRAM | DDR3 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4 Gbit | 4 Gb |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| Max Data Rate | Up to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| Clock Frequency Range | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| पैकेज | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +95C | 0C to +95C |
| On-Chip Termination (ODT) | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Die Revisions | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| डेटा दर | — | 1866 Mbps |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| पिन की संख्या | — | 96 |
| इंटरफ़ेस प्रकार | — | Parallel |
| Refresh | — | 8K / 64 ms |
| Burst Length | — | 8, 4 (fixed) |
| Write Recovery Time | — | [DATA_NEEDED: tWR] |
| Row Cycle Time | — | [DATA_NEEDED: tRC] |
| Row Address Strobe to Column Address Strobe Delay | — | [DATA_NEEDED: tRCD] |
| Row Precharge Time | — | [DATA_NEEDED: tRP] |
| Active to Precharge Time | — | [DATA_NEEDED: tRAS] |