M29F800FB55N3E2 vs M29F800FT55N3E2 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা M29F800FB55N3E2 নির্দিষ্ট Micron Technology ও M29F800FT55N3E2 নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Micron Technology
M29F800FB55N3E2 M29F800FB55N3E2 - 8Mb 5V 55ns NOR Flash TSOP-48 | Micron

M29F800FB55N3E2 - 8Mb 5V 55ns NOR Flash TSOP-48 | Micron

M29F800FB55N3E2 ✓ সক্রিয়
Micron Technology
M29F800FT55N3E2 M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার M29F800FB55N3E2 M29F800FT55N3E2
ব্র্যান্ড Micron Technology Micron Technology
ক্যাটাগরি EEPROM Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি সাইজ 8 Mbit (1 M x 8 / 512 K x 16) —
মেমরি টাইপ NOR Flash, SLC, Parallel NOR Flash
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage Min 4.5 V —
Supply Voltage Max 5.5 V —
ইন্টারফেস Parallel Parallel
সংগঠন Bottom boot (B suffix) —
ডেটা বাস প্রস্থ 8-bit or 16-bit (BYTE# selectable) —
প্যাকেজ 48-pin TSOP Type I (N suffix) 48-TSOP I
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount (SMD/SMT) Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রা Up to +125 C (Auto Grade 3 suffix) -40C to +125C
Packing Tray (blank suffix) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant (E suffix) Compliant (E suffix = lead-free/RoHS)
Programming Operations READ, ERASE, PROGRAM via command set —
Write Protection Block protection with lockable boot block —
Status Output RB# (Ready/Busy) —
Memory Organization — 512K x 16 (8 Mbit)
Density — 8389 kbits
সাপ্লাই ভোল্টেজ — 5 V
Boot Block Architecture — Top Boot Block
Word/Byte Configuration — BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit)
Hardware Reset / Power-Down — RP# pin
Embedded Program/Erase Controller — Yes (byte/word program, block erase)
Program/Erase Endurance — 100,000 cycles per block (typical for family)
Data Retention — >20 years (typical for family)
Ready/Busy Output — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট