M29F800FB55N3E2 vs M29F800FT55N3E2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29F800FB55N3E2 द्वारा Micron Technology और M29F800FT55N3E2 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F800FT55N3E2 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | M29F800FB55N3E2 | M29F800FT55N3E2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | EEPROM | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी आकार | 8 Mbit (1 M x 8 / 512 K x 16) | — |
| मेमोरी प्रकार | NOR Flash, SLC, Parallel | NOR Flash |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage Min | 4.5 V | — |
| Supply Voltage Max | 5.5 V | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Parallel |
| संगठन | Bottom boot (B suffix) | — |
| डेटा बस चौड़ाई | 8-bit or 16-bit (BYTE# selectable) | — |
| पैकेज | 48-pin TSOP Type I (N suffix) | 48-TSOP I |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount (SMD/SMT) | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | Up to +125 C (Auto Grade 3 suffix) | -40C to +125C |
| Packing | Tray (blank suffix) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (E suffix) | Compliant (E suffix = lead-free/RoHS) |
| Programming Operations | READ, ERASE, PROGRAM via command set | — |
| Write Protection | Block protection with lockable boot block | — |
| Status Output | RB# (Ready/Busy) | — |
| Memory Organization | — | 512K x 16 (8 Mbit) |
| Density | — | 8389 kbits |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 5 V |
| Boot Block Architecture | — | Top Boot Block |
| Word/Byte Configuration | — | BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit) |
| Hardware Reset / Power-Down | — | RP# pin |
| Embedded Program/Erase Controller | — | Yes (byte/word program, block erase) |
| Program/Erase Endurance | — | 100,000 cycles per block (typical for family) |
| Data Retention | — | >20 years (typical for family) |
| Ready/Busy Output | — | Yes |