M29F800FB55N3E2 vs M29F800FT55N3E2 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29F800FB55N3E2 tarafından Micron Technology ve M29F800FT55N3E2 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | M29F800FB55N3E2 | M29F800FT55N3E2 |
|---|---|---|
| Marka | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategori | EEPROM | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Boyutu | 8 Mbit (1 M x 8 / 512 K x 16) | — |
| Bellek Türü | NOR Flash, SLC, Parallel | NOR Flash |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage Min | 4.5 V | — |
| Supply Voltage Max | 5.5 V | — |
| Arayüz | Parallel | Parallel |
| Organizasyon | Bottom boot (B suffix) | — |
| Veri Bus Genişliği | 8-bit or 16-bit (BYTE# selectable) | — |
| Paket | 48-pin TSOP Type I (N suffix) | 48-TSOP I |
| Montaj Türü | Surface Mount (SMD/SMT) | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | Up to +125 C (Auto Grade 3 suffix) | -40C to +125C |
| Packing | Tray (blank suffix) | — |
| RoHS Durumu | Compliant (E suffix) | Compliant (E suffix = lead-free/RoHS) |
| Programming Operations | READ, ERASE, PROGRAM via command set | — |
| Write Protection | Block protection with lockable boot block | — |
| Status Output | RB# (Ready/Busy) | — |
| Memory Organization | — | 512K x 16 (8 Mbit) |
| Density | — | 8389 kbits |
| Besleme Gerilimi | — | 5 V |
| Boot Block Architecture | — | Top Boot Block |
| Word/Byte Configuration | — | BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit) |
| Hardware Reset / Power-Down | — | RP# pin |
| Embedded Program/Erase Controller | — | Yes (byte/word program, block erase) |
| Program/Erase Endurance | — | 100,000 cycles per block (typical for family) |
| Data Retention | — | >20 years (typical for family) |
| Ready/Busy Output | — | Yes |