M29F800FB55N3E2 vs M29F800FT55N3E2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از M29F800FB55N3E2 بذریعہ Micron Technology اور M29F800FT55N3E2 بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Micron Technology
M29F800FB55N3E2 M29F800FB55N3E2 - 8Mb 5V 55ns NOR Flash TSOP-48 | Micron

M29F800FB55N3E2 - 8Mb 5V 55ns NOR Flash TSOP-48 | Micron

M29F800FB55N3E2 ✓ فعال
Micron Technology
M29F800FT55N3E2 M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر M29F800FB55N3E2 M29F800FT55N3E2
برانڈ Micron Technology Micron Technology
زمرہ EEPROM Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری سائز 8 Mbit (1 M x 8 / 512 K x 16) —
میموری ٹائپ NOR Flash, SLC, Parallel NOR Flash
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage Min 4.5 V —
Supply Voltage Max 5.5 V —
انٹرفیس Parallel Parallel
تنظیم Bottom boot (B suffix) —
ڈیٹا بس چوڑائی 8-bit or 16-bit (BYTE# selectable) —
پیکیج 48-pin TSOP Type I (N suffix) 48-TSOP I
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount (SMD/SMT) Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت Up to +125 C (Auto Grade 3 suffix) -40C to +125C
Packing Tray (blank suffix) —
RoHS اسٹیٹس Compliant (E suffix) Compliant (E suffix = lead-free/RoHS)
Programming Operations READ, ERASE, PROGRAM via command set —
Write Protection Block protection with lockable boot block —
Status Output RB# (Ready/Busy) —
Memory Organization — 512K x 16 (8 Mbit)
Density — 8389 kbits
سپلائی وولٹیج — 5 V
Boot Block Architecture — Top Boot Block
Word/Byte Configuration — BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit)
Hardware Reset / Power-Down — RP# pin
Embedded Program/Erase Controller — Yes (byte/word program, block erase)
Program/Erase Endurance — 100,000 cycles per block (typical for family)
Data Retention — >20 years (typical for family)
Ready/Busy Output — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں