MT40A1G8WE-075E vs K4A8G165WB-BIWE তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MT40A1G8WE-075E নির্দিষ্ট Micron Technology ও K4A8G165WB-BIWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | MT40A1G8WE-075E | K4A8G165WB-BIWE |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Micron Technology | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| মেমরি সাইজ | 8 Gbit (1G x 8) | — |
| ডেটা রেট | 2666 MT/s (1.33 GHz) | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Supply | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| Operating Temperature (TC) | -40°C to +105°C (industrial) | — |
| Refresh Time (8192 cycles) | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| প্যাকেজ | 78-ball FBGA (8x12mm) | 96-ball FBGA |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| I/O Type | 1.2V pseudo-open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8, 16 |
| CAS লেটেন্সি | Programmable | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| AEC-Q100 | Optional (AIT variant) | — |
| Density | — | 8 Gb |
| সংগঠন | — | 512M x 16 |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | — | 1.2 V |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | -40°C to +95°C |
| ইন্টারফেস | — | Parallel |
| Refresh | — | Auto-refresh, Self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| পিনের সংখ্যা | — | 96 |