MT40A1G8WE-075E vs K4A8G165WB-BIWE موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT40A1G8WE-075E بذریعہ Micron Technology اور K4A8G165WB-BIWE بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MT40A1G8WE-075E | K4A8G165WB-BIWE |
|---|---|---|
| برانڈ | Micron Technology | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| میموری سائز | 8 Gbit (1G x 8) | — |
| ڈیٹا ریٹ | 2666 MT/s (1.33 GHz) | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Supply | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| Operating Temperature (TC) | -40°C to +105°C (industrial) | — |
| Refresh Time (8192 cycles) | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| پیکیج | 78-ball FBGA (8x12mm) | 96-ball FBGA |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| I/O Type | 1.2V pseudo-open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8, 16 |
| CAS لیٹنسی | Programmable | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| AEC-Q100 | Optional (AIT variant) | — |
| Density | — | 8 Gb |
| تنظیم | — | 512M x 16 |
| سپلائی وولٹیج | — | 1.2 V |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | -40°C to +95°C |
| انٹرفیس | — | Parallel |
| Refresh | — | Auto-refresh, Self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| پنز کی تعداد | — | 96 |