MT40A1G8WE-075E vs K4A8G165WB-BIWE Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma MT40A1G8WE-075E tarafından Micron Technology ve K4A8G165WB-BIWE tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | MT40A1G8WE-075E | K4A8G165WB-BIWE |
|---|---|---|
| Marka | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Bellek Boyutu | 8 Gbit (1G x 8) | — |
| Veri Hızı | 2666 MT/s (1.33 GHz) | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Supply | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| Operating Temperature (TC) | -40°C to +105°C (industrial) | — |
| Refresh Time (8192 cycles) | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| Paket | 78-ball FBGA (8x12mm) | 96-ball FBGA |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| I/O Type | 1.2V pseudo-open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8, 16 |
| CAS Gecikme | Programmable | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| AEC-Q100 | Optional (AIT variant) | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organizasyon | — | 512M x 16 |
| Besleme Gerilimi | — | 1.2 V |
| İşletim Sıcaklığı | — | -40°C to +95°C |
| Arayüz | — | Parallel |
| Refresh | — | Auto-refresh, Self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Pin Sayısı | — | 96 |