MT40A1G8WE-075E vs K4A8G165WB-BIWE तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT40A1G8WE-075E द्वारा Micron Technology और K4A8G165WB-BIWE द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT40A1G8WE-075E | K4A8G165WB-BIWE |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gbit (1G x 8) | — |
| डेटा दर | 2666 MT/s (1.33 GHz) | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Supply | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| Operating Temperature (TC) | -40°C to +105°C (industrial) | — |
| Refresh Time (8192 cycles) | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| पैकेज | 78-ball FBGA (8x12mm) | 96-ball FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| I/O Type | 1.2V pseudo-open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8, 16 |
| CAS लेटेंसी | Programmable | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| AEC-Q100 | Optional (AIT variant) | — |
| Density | — | 8 Gb |
| संगठन | — | 512M x 16 |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -40°C to +95°C |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel |
| Refresh | — | Auto-refresh, Self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| पिन की संख्या | — | 96 |