MT40A256M16GE-083E vs H5AN4G6NBJR-UHC তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MT40A256M16GE-083E নির্দিষ্ট Micron Technology ও H5AN4G6NBJR-UHC নির্দিষ্ট SK hynix. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Micron Technology
MT40A256M16GE-083E MT40A256M16GE-083E - DDR4 4Gb 256Mx16 2400MHz DRAM | Micron

MT40A256M16GE-083E - DDR4 4Gb 256Mx16 2400MHz DRAM | Micron

MT40A256M16GE-083E ✗ জীবনকালের সমাপ্তি
SK hynix
H5AN4G6NBJR-UHC H5AN4G6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 FBGA-96 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 FBGA-96 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-UHC ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার MT40A256M16GE-083E H5AN4G6NBJR-UHC
ব্র্যান্ড Micron Technology SK hynix
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস উৎপাদন শেষ সক্রিয়
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
সংগঠন 256M x 16 256M x 16
Clock Frequency 1200 MHz (DDR4-2400) 1.6 GHz
সাপ্লাই ভোল্টেজ 1.2 V —
প্যাকেজ 96-ball FBGA, 9 x 14 mm FBGA-96 (PBGA-96)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
ইন্টারফেস Parallel —
Technology CMOS DRAM CMOS
ECCN EAR99 —
Country of Origin China —
হ্যালোজেন মুক্ত Compliant —
Lead Free Yes —
Introduction Date August 2017 —
Lifecycle Obsolete / End of Life (per distributor cross-reference data) —
অপারেটিং তাপমাত্রা [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +95C
CAS লেটেন্সি [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] —
মেমরি সাইজ — 4 Gbit
Supply Voltage (VDD) — 1.14 V to 1.26 V
Self Refresh — Auto self-refresh
Data Mask Function — Yes (DM)
Asynchronous Reset — Yes (RESET_n)
On-Die Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes (command/address CRC)
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট