MT40A256M16GE-083E vs H5AN4G6NBJR-UHC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MT40A256M16GE-083E מאת Micron Technology ו H5AN4G6NBJR-UHC מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Micron Technology
MT40A256M16GE-083E - DDR4 4Gb 256Mx16 2400MHz DRAM | Micron
MT40A256M16GE-083E ✗ סוף ייצורהשוואת מפרטים
| פרמטר | MT40A256M16GE-083E | H5AN4G6NBJR-UHC |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | SK hynix |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | סוף חיים | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 1200 MHz (DDR4-2400) | 1.6 GHz |
| מתח אספקה | 1.2 V | — |
| מארז | 96-ball FBGA, 9 x 14 mm | FBGA-96 (PBGA-96) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| ממשק | Parallel | — |
| Technology | CMOS DRAM | CMOS |
| ECCN | EAR99 | — |
| Country of Origin | China | — |
| נטול הלוגנים | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Introduction Date | August 2017 | — |
| Lifecycle | Obsolete / End of Life (per distributor cross-reference data) | — |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +95C |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | — |
| גודל זיכרון | — | 4 Gbit |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Self Refresh | — | Auto self-refresh |
| Data Mask Function | — | Yes (DM) |
| Asynchronous Reset | — | Yes (RESET_n) |
| On-Die Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes (command/address CRC) |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |