MT40A256M16GE-083E vs H5AN4G6NBJR-UHC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار MT40A256M16GE-083E توسط Micron Technology و H5AN4G6NBJR-UHC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Micron Technology
MT40A256M16GE-083E - DDR4 4Gb 256Mx16 2400MHz DRAM | Micron
MT40A256M16GE-083E ✗ پایان تولیدمقایسه مشخصات
| پارامتر | MT40A256M16GE-083E | H5AN4G6NBJR-UHC |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | پایان عمر محصول | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 1200 MHz (DDR4-2400) | 1.6 GHz |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | — |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA, 9 x 14 mm | FBGA-96 (PBGA-96) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| رابط | Parallel | — |
| Technology | CMOS DRAM | CMOS |
| ECCN | EAR99 | — |
| Country of Origin | China | — |
| بدون هالوژن | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Introduction Date | August 2017 | — |
| Lifecycle | Obsolete / End of Life (per distributor cross-reference data) | — |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +95C |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | — |
| اندازه حافظه | — | 4 Gbit |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Self Refresh | — | Auto self-refresh |
| Data Mask Function | — | Yes (DM) |
| Asynchronous Reset | — | Yes (RESET_n) |
| On-Die Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes (command/address CRC) |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |