NT5AD512M16A4-GZ vs H5AN8G6NDJR তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা NT5AD512M16A4-GZ নির্দিষ্ট Nanya Technology ও H5AN8G6NDJR নির্দিষ্ট SK hynix. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | NT5AD512M16A4-GZ | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Nanya Technology | SK hynix |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| সংগঠন | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8Gb | 8 Gb |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.2V | 1.2 V |
| সর্বোচ্চ ক্লক ফ্রিকোয়েন্সি | 1200 MHz | — |
| ডেটা বাস প্রস্থ | 16 bits | — |
| প্যাকেজ | TFBGA-96 | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Interleaved Burst Length | 4, 8 | — |
| Access Mode | Four Bank Page Burst | Multi Bank Page Burst |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | Commercial and Industrial | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Write Leveling Function | Yes | — |
| ZQ Calibration Function | Yes | — |
| ডেটা রেট | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| CAS লেটেন্সি | — | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| বৈশিষ্ট্য | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |