NT5AD512M16A4-GZ vs H5AN8G6NDJR Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng NT5AD512M16A4-GZ sa pamamagitan ng Nanya Technology at H5AN8G6NDJR sa pamamagitan ng SK hynix. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | NT5AD512M16A4-GZ | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| Brand | Nanya Technology | SK hynix |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organisasyon | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8Gb | 8 Gb |
| Volte ng Pagbibigay | 1.2V | 1.2 V |
| Maksimum na Taktiko ng Oras | 1200 MHz | — |
| Width ng Data Bus | 16 bits | — |
| Packhaging | TFBGA-96 | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Interleaved Burst Length | 4, 8 | — |
| Access Mode | Four Bank Page Burst | Multi Bank Page Burst |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | Commercial and Industrial | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Write Leveling Function | Yes | — |
| ZQ Calibration Function | Yes | — |
| Rate ng Data | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Latensya ng CAS | — | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| Mga Karakteristika | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |