NT5AD512M16A4-GZ vs H5AN8G6NDJR موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از NT5AD512M16A4-GZ بذریعہ Nanya Technology اور H5AN8G6NDJR بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | NT5AD512M16A4-GZ | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| برانڈ | Nanya Technology | SK hynix |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| تنظیم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8Gb | 8 Gb |
| سپلائی وولٹیج | 1.2V | 1.2 V |
| زیادہ سے زیادہ کلاک فریکوئنسی | 1200 MHz | — |
| ڈیٹا بس چوڑائی | 16 bits | — |
| پیکیج | TFBGA-96 | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Interleaved Burst Length | 4, 8 | — |
| Access Mode | Four Bank Page Burst | Multi Bank Page Burst |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | Commercial and Industrial | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Write Leveling Function | Yes | — |
| ZQ Calibration Function | Yes | — |
| ڈیٹا ریٹ | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| CAS لیٹنسی | — | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| خصوصیات | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |