NT5AD512M16A4-GZ vs H5AN8G6NDJR مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ NT5AD512M16A4-GZ بواسطة Nanya Technology و H5AN8G6NDJR بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | NT5AD512M16A4-GZ | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Nanya Technology | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| التنظيم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8Gb | 8 Gb |
| جهد التغذية | 1.2V | 1.2 V |
| أقصى تردد للساعة | 1200 MHz | — |
| عرض ناقل البيانات | 16 bits | — |
| العلبة | TFBGA-96 | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Interleaved Burst Length | 4, 8 | — |
| Access Mode | Four Bank Page Burst | Multi Bank Page Burst |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | Commercial and Industrial | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Write Leveling Function | Yes | — |
| ZQ Calibration Function | Yes | — |
| معدل البيانات | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| زمن الوصول CAS | — | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| الميزات | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |