NT5AD512M16A4-GZ vs H5AN8G6NDJR So sánh
So sánh chi tiết song song của NT5AD512M16A4-GZ bằng Nanya Technology và H5AN8G6NDJR bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | NT5AD512M16A4-GZ | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Nanya Technology | SK hynix |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tổ chức | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8Gb | 8 Gb |
| Điện áp cung cấp | 1.2V | 1.2 V |
| Tần số xung maksimum | 1200 MHz | — |
| Bề rộng đường dữ liệu | 16 bits | — |
| Hộp | TFBGA-96 | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Interleaved Burst Length | 4, 8 | — |
| Access Mode | Four Bank Page Burst | Multi Bank Page Burst |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | Commercial and Industrial | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Write Leveling Function | Yes | — |
| ZQ Calibration Function | Yes | — |
| Tốc độ dữ liệu | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Latency CAS | — | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| Tính năng | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |