NT5AD512M16C4-JR vs AS4C512M16D4-75BIN তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা NT5AD512M16C4-JR নির্দিষ্ট Nanya Technology ও AS4C512M16D4-75BIN নির্দিষ্ট Alliance Memory. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | NT5AD512M16C4-JR | AS4C512M16D4-75BIN |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Nanya Technology | Alliance Memory |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ইউনিট মূল্য (USD) | $73.75 | — |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| সংগঠন | 512M x16 | — |
| Density | 8 Gbit | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| ডেটা রেট | 1.6 GHz (DDR4-3200) | 2666 Mbps |
| প্যাকেজ | TFBGA-96 | 96-FBGA (7.5x13) |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | 0°C to +95°C | — |
| Standby Current | 0.023 A (max) | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| মেমরি সাইজ | — | 8 Gbit |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Clock Frequency | — | 1.333 GHz |
| Access Time | — | 18 ns |
| Write Cycle Time | — | 15 ns |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | — | 1.2 V |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | -40°C to +95°C |
| মাউন্টিং টাইপ | — | Surface Mount |
| ইন্টারফেস | — | POD |
| পিনের সংখ্যা | — | 96 |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |
| বৈশিষ্ট্য | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration |