NT5AD512M16C4-JR vs AS4C512M16D4-75BIN موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از NT5AD512M16C4-JR بذریعہ Nanya Technology اور AS4C512M16D4-75BIN بذریعہ Alliance Memory. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JR NT5AD512M16C4-JR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-JR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-JR ✓ فعال
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر NT5AD512M16C4-JR AS4C512M16D4-75BIN
برانڈ Nanya Technology Alliance Memory
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) $73.75 —
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
تنظیم 512M x16 —
Density 8 Gbit —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
ڈیٹا ریٹ 1.6 GHz (DDR4-3200) 2666 Mbps
پیکیج TFBGA-96 96-FBGA (7.5x13)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج 0°C to +95°C —
Standby Current 0.023 A (max) —
Number of Terminals 96 —
Auto Self-Refresh Yes —
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
RoHS Compliant —
میموری سائز — 8 Gbit
Memory Organization — 512M x 16
Clock Frequency — 1.333 GHz
Access Time — 18 ns
Write Cycle Time — 15 ns
سپلائی وولٹیج — 1.2 V
آپریٹنگ درجہ حرارت — -40°C to +95°C
ماؤنٹنگ ٹائپ — Surface Mount
انٹرفیس — POD
پنز کی تعداد — 96
RoHS اسٹیٹس — Compliant
خصوصیات — Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں