NT5AD512M16C4-JR vs AS4C512M16D4-75BIN So sánh

So sánh chi tiết song song của NT5AD512M16C4-JR bằng Nanya Technology và AS4C512M16D4-75BIN bằng Alliance Memory. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JR NT5AD512M16C4-JR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-JR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-JR ✓ Hoạt động
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số NT5AD512M16C4-JR AS4C512M16D4-75BIN
Thương hiệu Nanya Technology Alliance Memory
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) $73,75 —
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tổ chức 512M x16 —
Density 8 Gbit —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Tốc độ dữ liệu 1.6 GHz (DDR4-3200) 2666 Mbps
Hộp TFBGA-96 96-FBGA (7.5x13)
Khoảng nhiệt độ hoạt động 0°C to +95°C —
Standby Current 0.023 A (max) —
Number of Terminals 96 —
Auto Self-Refresh Yes —
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
RoHS Compliant —
Kích thước bộ nhớ — 8 Gbit
Memory Organization — 512M x 16
Clock Frequency — 1.333 GHz
Access Time — 18 ns
Write Cycle Time — 15 ns
Điện áp cung cấp — 1.2 V
Nhiệt độ hoạt động — -40°C to +95°C
Kiểu lắp đặt — Surface Mount
Giao diện — POD
Số lượng chân — 96
Trạng thái RoHS — Compliant
Tính năng — Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá