NT5AD512M16C4-JR vs AS4C512M16D4-75BIN तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5AD512M16C4-JR द्वारा Nanya Technology और AS4C512M16D4-75BIN द्वारा Alliance Memory. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | NT5AD512M16C4-JR | AS4C512M16D4-75BIN |
|---|---|---|
| ब्रांड | Nanya Technology | Alliance Memory |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | $73.75 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| संगठन | 512M x16 | — |
| Density | 8 Gbit | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| डेटा दर | 1.6 GHz (DDR4-3200) | 2666 Mbps |
| पैकेज | TFBGA-96 | 96-FBGA (7.5x13) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | 0°C to +95°C | — |
| Standby Current | 0.023 A (max) | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| मेमोरी आकार | — | 8 Gbit |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Clock Frequency | — | 1.333 GHz |
| Access Time | — | 18 ns |
| Write Cycle Time | — | 15 ns |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -40°C to +95°C |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| इंटरफ़ेस | — | POD |
| पिन की संख्या | — | 96 |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| विशेषताएँ | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration |