NT5AD512M16C4-JR vs AS4C512M16D4-75BIN 比較
詳細並排比較 NT5AD512M16C4-JR 由 Nanya Technology 與 AS4C512M16D4-75BIN 由 Alliance Memory. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ 啟用中規格比較
| 參數 | NT5AD512M16C4-JR | AS4C512M16D4-75BIN |
|---|---|---|
| 品牌 | Nanya Technology | Alliance Memory |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 單價 (USD) | $73.75 | — |
| 記憶體類型 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 組織 | 512M x16 | — |
| Density | 8 Gbit | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| 資料速率 | 1.6 GHz (DDR4-3200) | 2666 Mbps |
| 封裝 | TFBGA-96 | 96-FBGA (7.5x13) |
| 工作溫度範圍 | 0°C to +95°C | — |
| Standby Current | 0.023 A (max) | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| 記憶體容量 | — | 8 Gbit |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Clock Frequency | — | 1.333 GHz |
| Access Time | — | 18 ns |
| Write Cycle Time | — | 15 ns |
| 供應電壓 | — | 1.2 V |
| 工作溫度 | — | -40°C to +95°C |
| 安裝類型 | — | Surface Mount |
| 介面 | — | POD |
| 腳位數 | — | 96 |
| RoHS 狀態 | — | Compliant |
| 功能特色 | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration |