NT5CC256M16CP-DIB vs K4B4G1646D-BYK0 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা NT5CC256M16CP-DIB নির্দিষ্ট Nanya Technology ও K4B4G1646D-BYK0 নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | NT5CC256M16CP-DIB | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gbit |
| সংগঠন | 256M x 16 | 256M x 16 |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.35V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| ডেটা রেট | 1600 Mbps (DDR3L-1600) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| প্যাকেজ | TFBGA-96 (9x13mm, 0.8mm pitch) | 96-ball FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Internal Banks | 8 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| CAS Latency (CL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Write Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Temperature Grade | Industrial (-40°C to +95°C) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| হ্যালোজেন মুক্ত | Yes | — |
| Package Shape | Rectangular | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | 0°C to 85°C |
| CAS লেটেন্সি | — | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| হ্যালোজেন মুক্ত | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| পিনের সংখ্যা | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |