NT5CC256M16CP-DIB vs K4B4G1646D-BYK0 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از NT5CC256M16CP-DIB بذریعہ Nanya Technology اور K4B4G1646D-BYK0 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | NT5CC256M16CP-DIB | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| برانڈ | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gbit |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| سپلائی وولٹیج | 1.35V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| ڈیٹا ریٹ | 1600 Mbps (DDR3L-1600) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| پیکیج | TFBGA-96 (9x13mm, 0.8mm pitch) | 96-ball FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Internal Banks | 8 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| CAS Latency (CL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Write Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Temperature Grade | Industrial (-40°C to +95°C) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| Package Shape | Rectangular | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | 0°C to 85°C |
| CAS لیٹنسی | — | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| ہیلوجن فری | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| پنز کی تعداد | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |