NT5CC256M16CP-DIB vs K4B4G1646D-BYK0 Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng NT5CC256M16CP-DIB sa pamamagitan ng Nanya Technology at K4B4G1646D-BYK0 sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | NT5CC256M16CP-DIB | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| Brand | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gbit |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| Rate ng Data | 1600 Mbps (DDR3L-1600) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| Packhaging | TFBGA-96 (9x13mm, 0.8mm pitch) | 96-ball FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Internal Banks | 8 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| CAS Latency (CL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Write Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Temperature Grade | Industrial (-40°C to +95°C) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Wala sa Halogen | Yes | — |
| Package Shape | Rectangular | — |
| Temperature na Operasyon | — | 0°C to 85°C |
| Latensya ng CAS | — | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Wala sa Halogen | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Bilang ng Pins | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |