NT5CC256M16CP-DIB vs K4B4G1646D-BYK0 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5CC256M16CP-DIB द्वारा Nanya Technology और K4B4G1646D-BYK0 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | NT5CC256M16CP-DIB | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gbit |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| डेटा दर | 1600 Mbps (DDR3L-1600) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| पैकेज | TFBGA-96 (9x13mm, 0.8mm pitch) | 96-ball FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Internal Banks | 8 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| CAS Latency (CL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Write Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Temperature Grade | Industrial (-40°C to +95°C) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| Package Shape | Rectangular | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0°C to 85°C |
| CAS लेटेंसी | — | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| पिन की संख्या | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |