NT5CC256M16CP-DIB vs K4B4G1646D-BYK0 比較
詳細並排比較 NT5CC256M16CP-DIB 由 Nanya Technology 與 K4B4G1646D-BYK0 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB ✓ 啟用中規格比較
| 參數 | NT5CC256M16CP-DIB | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 記憶體類型 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gbit |
| 組織 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 供應電壓 | 1.35V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| 資料速率 | 1600 Mbps (DDR3L-1600) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| 封裝 | TFBGA-96 (9x13mm, 0.8mm pitch) | 96-ball FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Internal Banks | 8 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| CAS Latency (CL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Write Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Temperature Grade | Industrial (-40°C to +95°C) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| 無鹵素 | Yes | — |
| Package Shape | Rectangular | — |
| 工作溫度 | — | 0°C to 85°C |
| CAS 延遲 | — | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| 無鹵素 | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| 腳位數 | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |