NT5CC256M16CP-DIB vs K4B4G1646D-BYK0 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של NT5CC256M16CP-DIB מאת Nanya Technology ו K4B4G1646D-BYK0 מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | NT5CC256M16CP-DIB | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| מותג | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gbit |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| מתח אספקה | 1.35V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| קצב נתונים | 1600 Mbps (DDR3L-1600) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| מארז | TFBGA-96 (9x13mm, 0.8mm pitch) | 96-ball FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Internal Banks | 8 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| CAS Latency (CL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Write Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Temperature Grade | Industrial (-40°C to +95°C) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| Package Shape | Rectangular | — |
| טמפרטורת פעולה | — | 0°C to 85°C |
| השהיית CAS | — | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| נטול הלוגנים | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| מספר פינים | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |