NT5CC256M16DP-FLNA vs K4B4G1646E-BYMA তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা NT5CC256M16DP-FLNA নির্দিষ্ট Nanya Technology ও K4B4G1646E-BYMA নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Nanya Technology
NT5CC256M16DP-FLNA NT5CC256M16DP-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16DP-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16DP-FLNA ✓ সক্রিয়
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার NT5CC256M16DP-FLNA K4B4G1646E-BYMA
ব্র্যান্ড Nanya Technology Samsung Electronics
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
ইউনিট মূল্য (USD) — $14.32
মেমরি টাইপ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
সংগঠন 256M x 16 256M x 16
Total Density 4 Gb —
সাপ্লাই ভোল্টেজ 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
ডেটা রেট 1600 Mbps (PC3L-12800) 1866 Mbps/pin
CAS লেটেন্সি 11, 12, 13 [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length 8, 4 (with burst chop) [DATA_NEEDED: Burst Length]
Number of Banks 8 —
ইন্টারফেস SSTL-15 —
প্যাকেজ BGA-96 (13x9 mm) FBGA-96
অপারেটিং তাপমাত্রা -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) 0°C to +95°C
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Refresh Auto self-refresh, auto precharge —
বৈশিষ্ট্য Write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration, data mask, asynchronous reset —
Density — 4 Gb
Clock Frequency — 933 MHz
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
মাউন্টিং টাইপ — Surface Mount
পিনের সংখ্যা — 96

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট