NT5CC256M16DP-FLNA vs K4B4G1646E-BYMA So sánh

So sánh chi tiết song song của NT5CC256M16DP-FLNA bằng Nanya Technology và K4B4G1646E-BYMA bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Nanya Technology
NT5CC256M16DP-FLNA NT5CC256M16DP-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16DP-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16DP-FLNA ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số NT5CC256M16DP-FLNA K4B4G1646E-BYMA
Thương hiệu Nanya Technology Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) — $14,32
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Tổ chức 256M x 16 256M x 16
Total Density 4 Gb —
Điện áp cung cấp 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Tốc độ dữ liệu 1600 Mbps (PC3L-12800) 1866 Mbps/pin
Latency CAS 11, 12, 13 [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length 8, 4 (with burst chop) [DATA_NEEDED: Burst Length]
Number of Banks 8 —
Giao diện SSTL-15 —
Hộp BGA-96 (13x9 mm) FBGA-96
Nhiệt độ hoạt động -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) 0°C to +95°C
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Refresh Auto self-refresh, auto precharge —
Tính năng Write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration, data mask, asynchronous reset —
Density — 4 Gb
Clock Frequency — 933 MHz
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
Kiểu lắp đặt — Surface Mount
Số lượng chân — 96

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá