NT5CC256M16DP-FLNA vs K4B4G1646E-BYMA השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של NT5CC256M16DP-FLNA מאת Nanya Technology ו K4B4G1646E-BYMA מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | NT5CC256M16DP-FLNA | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| מותג | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $14.32 |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Density | 4 Gb | — |
| מתח אספקה | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| קצב נתונים | 1600 Mbps (PC3L-12800) | 1866 Mbps/pin |
| השהיית CAS | 11, 12, 13 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Number of Banks | 8 | — |
| ממשק | SSTL-15 | — |
| מארז | BGA-96 (13x9 mm) | FBGA-96 |
| טמפרטורת פעולה | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) | 0°C to +95°C |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Refresh | Auto self-refresh, auto precharge | — |
| תכונות | Write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration, data mask, asynchronous reset | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |
| מספר פינים | — | 96 |